Samsung entwickelt weltkleinsten 512 MBit Flash-Speicher

Letztes Jahr entwickelte Samsung einen 256 MBit-Flash-Speicherbaustein nach dem 0,18 Mikrometer-Fertigungsprozess und konnte knapp sechs Monate später die 0,15 Mikrometer-Technologie in den Griff bekommen. Durch die Entwicklung neuer Zellentechnologie konnte man bei Samsung die für die Programmierung nötige hohe elektrische Spannung heruntersetzen, was nicht nur eine Steigerung von 30 % bei der Programmierleistung brachte, sondern auch den Weg zu einer weiteren Reduzierung des Fertigungsprozesses auf 0,12 Mikrometer ebnete.

Samsung plant die neuen Speicherbausteine unter anderem in Digitalkameras einzusetzen. Flash-Speicherbausteine gibt es entweder in NOR-Technologie (zur Speicherung von ausführbaren Codes) oder in NAND-Technologie (zur Speicherung von Daten). Samsung Electronics hält derzeit einen Anteil von etwa 40 % weltweit auf Flash-Speicherbausteinen für die Datenspeicherung. Der Weltmarkt für NAND-Flash-Speicher wird – laut Semicon Research – auf etwa 1,1 Milliarden US-Dollar im Jahr 2000 geschätzt. Man geht davon aus, dass dieser Markt jedes Jahr um etwa 71 % wachsen wird, um im Jahre 2003 zirka 5,5 Milliarden US-Dollar zu erreichen. Es wird als der schnellstwachsende Teilbereich der Halbleiterindustrie angesehen. Samsung Electronics hat bereits erste Muster des 512 MBit-Flash-Speicherbausteine ausgeliefert und plant, die Massenproduktion im dritten Quartal dieses Jahres zu beginnen. Die Firma rechnet damit, dass die Verkaufszahlen in diesem Jahr die 800 Millionen US-Dollar erreichen.