SanDisk und Toshiba führen 1 GBit-NAND-Speicherbaustein ein

2001-11-20 SanDisk und Toshiba haben gemeinsam den ersten kommerziellen 1 GBit-NAND-Speicherbaustein auf Flash-Technologie vorgestellt. Damit lässt sich die Speicherkapazität aktueller NAND-Flash-Speicherchips praktisch verdoppeln. Der neue 1 GBit-Speicherchip wird nach derselben 0,16 Mikron-Fertigungstechnologie hergestellt werden wie bereits der 512 MBit-NAND-Speicherbaustein. Der neue Speicherchip baut auf der patentierten Multi-Level-Cell- (kurz: MLC) Technologie von SanDisk auf, die es ermöglicht, zwei Datenbits in einer Speicherzelle zu speichern. Zwei 1 Gbit-Chips können zu einem einzelnen TSOP (Thin Small Outline Package) zusammengefügt werden, um 2 GBit bzw. 256 MByte Speicher zu ergeben. Es wird erwartet, dass die Produktion erster CompactFlash-, MultiMediaCard- und SecureDigital-Speicherkarten auf Basis des neuen 1 Gbit-Chips in der ersten Jahreshälfte 2002 anlaufen wird. Die kürzlich vorgestellte 1 GByte-CompactFlash-Karte von SanDisk (siehe Link) ist das erste konkrete Produkt, das den neuen 1 GBit-NAND-MLC-Flash-Speicherchip einsetzt.  (Yvan Boeres)